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產(chǎn)品詳細(xì)頁
Thorlabs摻鐿光纖

Thorlabs摻鐿光纖

  • 產(chǎn)品型號：
  • 更新時間：2024-04-19
  • 產(chǎn)品介紹：Thorlabs摻鐿光纖，用于光學(xué)放大器、ASE光源以及高功率脈沖和連續(xù)波激光器應(yīng)用，工作功率范圍從毫瓦到100瓦，發(fā)光波長1000 - 1100 nm。這種光纖由芬蘭的nLight, Inc.生產(chǎn)，使用了的摻雜光纖生產(chǎn)技術(shù)：Liekki納米粒子直接沉積（DND）。Liekki DND技術(shù)能夠滿足光纖應(yīng)用的要求，比如短光纖、不損壞纖芯的平坦折射率剖面、以及較高的纖芯包層比
  • 廠商性質(zhì)：代理商
  • 在線留言

產(chǎn)品介紹

品牌Thorlabs價格區(qū)間面議
組件類別光學(xué)元件應(yīng)用領(lǐng)域電子

Thorlabs摻鐿光纖


Thorlabs摻鐿光纖特性

摻鐿石英光纖，用于約1000nm- 1100 nm光纖激光器和放大器

提供單模光纖和大模場光纖

纖芯泵浦或包層泵浦設(shè)計，用于1 mW- >100 W的輸出功率

下面也出售匹配的無源光纖

幾何形狀符合有源光纖的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，包層?125、?250或?400 µm

Thorlabs提供的摻鐿光纖，用于光學(xué)放大器、ASE光源以及高功率脈沖和連續(xù)波激光器應(yīng)用，工作功率范圍從毫瓦到100瓦，發(fā)光波長1000 - 1100 nm。這種光纖由芬蘭的nLight, Inc.生產(chǎn)，使用了的摻雜光纖生產(chǎn)技術(shù)：Liekki納米粒子直接沉積(DND)。Liekki DND技術(shù)能夠滿足光纖應(yīng)用的要求，比如短光纖、不損壞纖芯的平坦折射率剖面、以及較高的纖芯-包層比(大模場雙包層光纖)。

摻鐿光纖可選纖芯泵浦或者包層泵浦(雙包層)設(shè)計。纖芯泵浦光纖非常適合低功率應(yīng)用，有源光纖長度很短，其類似遠(yuǎn)程通信的幾何形狀便于拼接和處理，并且兼容低成本泵浦二極管和標(biāo)準(zhǔn)無源單模(SM)光纖。

與纖芯泵浦有源光纖相比，包層泵浦雙包層的效率更高，輸出功率更高。包層泵浦光纖為雙包層，意味著光纖的鍍層作為第二包層，允許*包層具備波導(dǎo)功能。一般地，雙包層光纖的纖芯為低NA單模光纖或者大模場(LMA)光纖，用于激發(fā)光；*包層為高NA和多模，用于泵浦光。

我們也供應(yīng)保偏摻鐿光纖。

Item #

Type

Absorption
@ 920 nm

Pump
Type

Core
Diameter

Cladding
Diameter

YB1200-4/125

SMa

280 ± 50 dB/m

Core

4.4 ± 0.8 μm MFD

125 ± 2 μm

YB1200-6/125DC

SMa

0.55 ± 0.1 dB/m

Cladding

7.0 ± 0.5 μm MFD

125 ± 2 μm

YB1200-10/125DC

LMAb

1.7 ± 0.3 dB/m

10.0 ± 1.0 μm

125 ± 2 μm

YB1200-20/400DC

LMAb

0.6 ± 0.1 dB/m

20.0 ± 1.5 μm

400 ± 10 μm

YB1200-25/250DC

LMAb

2.3 ± 0.3 dB/m

25.0 ± 1.5 μm

250 ± 5 μm

YB2000-10/125DC

LMAb

2.0 ± 0.4 dB/m

10 ± 1.0 μm

125 ± 2 μm


Thorlabs摻鐿光纖

Thorlabs摻鐿光纖

纖芯泵浦光纖橫截面

Thorlabs摻鐿光纖

包層泵浦光纖橫截面

Thorlabs摻鐿光纖









Active  Fibers Selection Guide

Ytterbium-Doped SM and LMAYtterbium-Doped  PMErbium-Doped SM and LMA

Ytterbium-Doped SM and LMAYtterbium-Doped  PMErbium-Doped SM and LMA

Ytterbium-Doped SM and LMAYtterbium-Doped  PMErbium-Doped SM and LMA


纖芯泵浦單模光纖

Item #

YB1200-4/125

Cladding Geometry

Round

Peak Core Absorption @ 976 nm (Nominal)

1200 dB/m

Core Absorption @ 920 nm

280 dB/m

MFD

4.4 ± 0.8 μm

Cladding Diameter

125 ± 2 μm

Coating Diameter

245 ± 15 μm

Core Numerical Aperture (NA) (Nominal)

0.2

Cladding NA

>0.46

Cut-Off Wavelength

1010 ± 70 nm

Coating Material

High-Index Acrylate

Core Concentricity Error

≤0.7 μm

Proof Test

≥100 kpsi

Core Index

Proprietarya

Cladding Index

Proprietarya

a.     很抱歉我們不能提供更多信息。

包層泵浦、雙包層SM和LMA光纖

Item #

YB1200-6/125DC

YB1200-10/125DC

YB1200-20/400DC

YB1200-25/250DC

YB2000-10/125DC

Cladding Geometry

Octagonal

Peak Cladding Absorption @ 976 nm (Nominal)

2.4 dB/m

7.4 dB/m

2.6 dB/m

9.9 dB/m

-

Cladding Absorption @ 920 nm

0.55 ± 0.1 dB/m

1.7 ± 0.3 dB/m

0.6 ± 0.1 dB/m

2.3 ± 0.3 dB/m

2.0 ± 0.4 dB/m

MFD

7.0 ± 0.5 μm

11.1 µma

16.6 µma

19.3 µma

-

Core Diameter

-

10.0 ± 1.0 µm

20.0 ± 1.5 µm

25.0 ± 1.5 µm

10 ± 1.0 µm

Cladding Diameterb

125 ± 2 μm

125 ± 2 μm

400 ± 10 μm

250 ± 5 μm

125 ± 2 μm

Coating (Second Cladding) Diameter

245 ± 15 μm

245 ± 15 μm

520 ± 15 μm

350 ± 15 μm

245 ± 15 μm

Core Numerical Aperture (NA)

0.12a

0.080 ± 0.005

0.070 ± 0.005

0.070 ± 0.005

0.12 ± 0.02

Cladding NA

≥0.48

≥0.48

≥0.48

≥0.48

>0.46

Coating Material

Low-Index Acrylate

Low-Index Acrylate

Low-Index Acrylate

Low-Index Acrylate

Low-Index Acrylate

Core Concentricity Error

≤1.0 μm

≤1.0 μm

≤1.2 μm

≤1.0 μm

< 1.5 μm

Proof Test

≥100 kpsi

≥100 kpsi

≥100 kpsi

≥100 kpsi

>100 kpsi

Core Index

Proprietaryc

Cladding Index

Proprietaryc

a.     標(biāo)稱值

b.     八邊形包層相對平面的測量值。

c.     很抱歉我們不能提供更多信息。

匹配的無源LMA光纖

Item #

P-6/125DC

P-10/125DC

P-20/400DC

P-25/250DC

Matching Active Fiber

YB1200-6/125DC

YB1200-10/125DC

YB1200-20/400DC

YB1200-25/250DC

Cladding Geometry

Round

Core Diameter

7 ± 0.5 µma

10 ± 1.0 µm

20 ± 1.5 µm

25 ± 1.5 µm

Cladding Diameter

125 ± 2 μm

400 ± 5 µm

250 ± 5 µm

Coating (Second Cladding) Diameter

245 ± 15 μm

520 ± 15 µm

350 ± 15 µm

Core Numerical Aperture (NA)

0.12 (Nominal)

0.08 ± 0.005

0.07 ± 0.005

Cladding NA

≥0.48

Coating Material

Low-Index Acrylate

Proof Test

≥100 kpsi

Core Index

Proprietaryb

Cladding Index

Proprietaryb

a.     纖芯直徑規(guī)格是指在1060 nm處的遠(yuǎn)場模場直徑。

b.     很抱歉我們不能提供更多信息。


損傷閥值

激光誘導(dǎo)的光纖損傷

以下教程詳述了無終端(裸露的)、有終端光纖以及其他基于激光光源的光纖元件的損傷機(jī)制，包括空氣-玻璃界面(自由空間耦合或使用接頭時)的損傷機(jī)制和光纖玻璃內(nèi)的損傷機(jī)制。諸如裸纖、光纖跳線或熔接耦合器等光纖元件可能受到多種潛在的損傷(比如，接頭、光纖端面和裝置本身)。光纖適用的大功率始終受到這些損傷機(jī)制的小值的限制。

雖然可以使用比例關(guān)系和一般規(guī)則估算損傷閾值，但是，光纖的損傷閾值在很大程度上取決于應(yīng)用和特定用戶。用戶可以以此教程為指南，估算大程度降低損傷風(fēng)險的安全功率水平。如果遵守了所有恰當(dāng)?shù)闹苽浜瓦m用性指導(dǎo)，用戶應(yīng)該能夠在的大功率水平以下操作光纖元件；如果有元件并未大功率，用戶應(yīng)該遵守下面描述的"實際安全水平"該，以安全操作相關(guān)元件?？赡芙档凸β蔬m用能力并給光纖元件造成損傷的因素包括，但不限于，光纖耦合時未對準(zhǔn)、光纖端面受到污染或光纖本身有瑕疵。關(guān)于特定應(yīng)用中光纖功率適用能力的深入討論，請聯(lián)系技術(shù)支持techsupport-cn@thorlabs.com。


Quick Links

Damage at the Air / Glass Interface

Intrinsic Damage Threshold

Preparation and Handling of Optical Fibers


空氣-玻璃界面的損傷

空氣/玻璃界面有幾種潛在的損傷機(jī)制。自由空間耦合或使用光學(xué)接頭匹配兩根光纖時，光會入射到這個界面。如果光的強度很高，就會降低功率的適用性，并給光纖造成性損傷。而對于使用環(huán)氧樹脂將接頭與光纖固定的終端光纖而言，高強度的光產(chǎn)生的熱量會使環(huán)氧樹脂熔化，進(jìn)而在光路中的光纖表面留下殘留物。


Thorlabs摻鐿光纖

損傷的光纖端面

Thorlabs摻鐿光纖

未損傷的光纖端面

裸纖端面的損傷機(jī)制

光纖端面的損傷機(jī)制可以建模為大光學(xué)元件，紫外熔融石英基底的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)損傷閾值適用于基于石英的光纖(參考右表)。但是與大光學(xué)元件不同，與光纖空氣/璃界面相關(guān)的表面積和光束直徑都非常小，耦合單模(SM)光纖時尤其如此，因此，對于給定的功率密度，入射到光束直徑較小的光纖的功率需要比較低。

右表列出了兩種光功率密度閾值：一種理論損傷閾值，一種"實際安全水平"。一般而言，理論損傷閾值代表在光纖端面和耦合條件非常好的情況下，可以入射到光纖端面且沒有損傷風(fēng)險的大功率密度估算值。而"實際安全水平"功率密度代表光纖損傷的低風(fēng)險。超過實際安全水平操作光纖或元件也是有可以的，但用戶必須遵守恰當(dāng)?shù)倪m用性說明，并在使用前在低功率下驗證性能。

計算單模光纖和多模光纖的有效面積

單模光纖的有效面積是通過模場直徑(MFD)定義的，它是光通過光纖的橫截面積，包括纖芯以及部分包層。耦合到單模光纖時，入射光束的直徑必須匹配光纖的MFD，才能達(dá)到良好的耦合效率。

例如，SM400單模光纖在400 nm下工作的模場直徑(MFD)大約是?3 µm，而SMF-28 Ultra單模光纖在1550 nm下工作的MFD為?10.5 µm。則兩種光纖的有效面積可以根據(jù)下面來計算：

SM400 Fiber:Area= Pi x (MFD/2)2 = Pi x (1.5µm)2 = 7.07 µm2= 7.07 x 10-8cm2
SMF-28 Ultra Fiber: Area = Pi x (MFD/2)2 = Pi x (5.25 µm)2= 86.6 µm2= 8.66 x 10-7cm2

為了估算光纖端面適用的功率水平，將功率密度乘以有效面積。請注意，該計算假設(shè)的是光束具有均勻的強度分布，但其實，單模光纖中的大多數(shù)激光束都是高斯形狀，使得光束中心的密度比邊緣處更高，因此，這些計算值將略高于損傷閾值或?qū)嶋H安全水平對應(yīng)的功率。假設(shè)使用連續(xù)光源，通過估算的功率密度，就可以確定對應(yīng)的功率水平：

SM400 Fiber: 7.07 x 10-8cm2x 1MW/cm2= 7.1 x10-8MW =71 mW (理論損傷閾值)
7.07 x 10-8cm2x 250 kW/cm2= 1.8 x10-5kW = 18 mW (實際安全水平)

SMF-28 Ultra Fiber: 8.66 x 10-7cm2x 1MW/cm2= 8.7 x10-7MW =870mW (理論損傷閾值)
8.66 x 10-7cm2x 250 kW/cm2= 2.1 x10-4kW =210 mW (實際安全水平)

多模(MM)光纖的有效面積由纖芯直徑確定，一般要遠(yuǎn)大于SM光纖的MFD值。如要獲得佳耦合效果，Thorlabs建議光束的光斑大小聚焦到纖芯直徑的70 - 80%。由于多模光纖的有效面積較大，降低了光纖端面的功率密度，因此，較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級)可以無損傷地耦合到多模光纖中。


Estimated  Optical Power Densities on Air / Glass Interfacea

Type

Theoretical  Damage Thresholdb

Practical Safe  Levelc

CW
(Average Power)

~1 MW/cm2

~250 kW/cm2

10 ns Pulsed
(Peak Power)

~5 GW/cm2

~1 GW/cm2


所有值針對無終端(裸露)的石英光纖，適用于自由空間耦合到潔凈的光纖端面。

這是可以入射到光纖端面且沒有損傷風(fēng)險的大功率密度估算值。用戶在高功率下工作前，必須驗證系統(tǒng)中光纖元件的性能與可靠性，因其與系統(tǒng)有著緊密的關(guān)系。

這是在大多數(shù)工作條件下，入射到光纖端面且不會損傷光纖的安全功率密度估算值。

插芯/接頭終端相關(guān)的損傷機(jī)制

有終端接頭的光纖要考慮更多的功率適用條件。光纖一般通過環(huán)氧樹脂粘合到陶瓷或不銹鋼插芯中。光通過接頭耦合到光纖時，沒有進(jìn)入纖芯并在光纖中傳播的光會散射到光纖的外層，再進(jìn)入插芯中，而環(huán)氧樹脂用來將光纖固定在插芯中。如果光足夠強，就可以熔化環(huán)氧樹脂，使其氣化，并在接頭表面留下殘渣。這樣，光纖端面就出現(xiàn)了局部吸收點，造成耦合效率降低，散射增加，進(jìn)而出現(xiàn)損傷。

與環(huán)氧樹脂相關(guān)的損傷取決于波長，出于以下幾個原因。一般而言，短波長的光比長波長的光散射更強。由于短波長單模光纖的MFD較小，且產(chǎn)生更多的散射光，則耦合時的偏移也更大。

為了大程度地減小熔化環(huán)氧樹脂的風(fēng)險，可以在光纖端面附近的光纖與插芯之間構(gòu)建無環(huán)氧樹脂的氣隙光纖接頭。我們的高功率多模光纖跳線就使用了這種設(shè)計特點的接頭。

曲線圖展現(xiàn)了帶終端的單模石英光纖的大概功率適用水平。每條線展示了考慮具體損傷機(jī)制估算的功率水平。大功率適用性受到所有相關(guān)損傷機(jī)制的低功率水平限制(由實線表示)。


制備和處理光纖

通用清潔和操作指南

建議將這些通用清潔和操作指南用于所有的光纖產(chǎn)品。而對于具體的產(chǎn)品，用戶還是應(yīng)該根據(jù)輔助文獻(xiàn)或手冊中給出的具體指南操作。只有遵守了所有恰當(dāng)?shù)那鍧嵑筒僮鞑襟E，損傷閾值的計算才會適用。

安裝或集成光纖(有終端的光纖或裸纖)前應(yīng)該關(guān)掉所有光源，以避免聚焦的光束入射在接頭或光纖的脆弱部分而造成損傷。

光纖適用的功率直接與光纖/接頭端面的質(zhì)量相關(guān)。將光纖連接到光學(xué)系統(tǒng)前，一定要檢查光纖的末端。端面應(yīng)該是干凈的，沒有污垢和其它可能導(dǎo)致耦合光散射的污染物。另外，如果是裸纖，使用前應(yīng)該剪切，用戶應(yīng)該檢查光纖末端，確保切面質(zhì)量良好。

如果將光纖熔接到光學(xué)系統(tǒng)，用戶先應(yīng)該在低功率下驗證熔接的質(zhì)量良好，然后在高功率下使用。熔接質(zhì)量差，會增加光在熔接界面的散射，從而成為光纖損傷的來源。

對準(zhǔn)系統(tǒng)和優(yōu)化耦合時，用戶應(yīng)該使用低功率；這樣可以大程度地減少光纖其他部分(非纖芯)的曝光。如果高功率光束聚焦在包層、涂覆層或接頭，有可能產(chǎn)生散射光造成的損傷。

高功率下使用光纖的注意事項一般而言，光纖和光纖元件應(yīng)該要在安全功率水平限制之內(nèi)工作，但在理想的條件下(佳的光學(xué)對準(zhǔn)和非常干凈的光纖端面)，光纖元件適用的功率可能會增大。用戶先必須在他們的系統(tǒng)內(nèi)驗證光纖的性能和穩(wěn)定性，然后再提高輸入或輸出功率，遵守所有所需的安全和操作指導(dǎo)。以下事項是一些有用的建議，有助于考慮在光纖或組件中增大光學(xué)功率。

要防止光纖損傷光耦合進(jìn)光纖的對準(zhǔn)步驟也是重要的。在對準(zhǔn)過程中，在取得佳耦合前，光很容易就聚焦到光纖某部位而不是纖芯。如果高功率光束聚焦在包層或光纖其它部位時，會發(fā)生散射引起損傷

使用光纖熔接機(jī)將光纖組件熔接到系統(tǒng)中，可以增大適用的功率，因為它可以大程度地減少空氣/光纖界面損傷的可能性。用戶應(yīng)該遵守所有恰當(dāng)?shù)闹笇?dǎo)來制備，并進(jìn)行高質(zhì)量的光纖熔接。熔接質(zhì)量差可能導(dǎo)致散射，或在熔接界面局部形成高熱區(qū)域，從而損傷光纖。

連接光纖或組件之后，應(yīng)該在低功率下使用光源測試并對準(zhǔn)系統(tǒng)。然后將系統(tǒng)功率緩慢增加到所希望的輸出功率，同時周期性地驗證所有組件對準(zhǔn)良好，耦合效率相對光學(xué)耦合功率沒有變化。

由于劇烈彎曲光纖造成的彎曲損耗可能使光從受到應(yīng)力的區(qū)域漏出。在高功率下工作時，大量的光從很小的區(qū)域(受到應(yīng)力的區(qū)域)逃出，從而在局部形成產(chǎn)生高熱量，進(jìn)而損傷光纖。請在操作過程中不要破壞或突然彎曲光纖，以盡可能地減少彎曲損耗。

用戶應(yīng)該針對給定的應(yīng)用選擇合適的光纖。例如，大模場光纖可以良好地代替標(biāo)準(zhǔn)的單模光纖在高功率應(yīng)用中使用，因為前者可以提供更佳的光束質(zhì)量，更大的MFD，且可以降低空氣/光纖界面的功率密度。

階躍折射率石英單模光纖一般不用于紫外光或高峰值功率脈沖應(yīng)用，因為這些應(yīng)用與高空間功率密度相關(guān)。


纖芯泵浦單模摻鐿光纖，單包層

纖芯泵浦設(shè)計

遠(yuǎn)程通信型光纖幾何形便于處理、拼接和連接

與HI1060-型無源單模光纖拼接良好

應(yīng)用

低噪聲、低功率前置放大器

ASE光源

連續(xù)波和脈沖激光器和放大器

Liekki YB1200-4/125是一種用于低噪聲、低非線性前置放大器和激光器的高摻鐿光纖。它是用于纖芯泵浦應(yīng)用的單包層光纖。對于用雙包層光纖做功率放大器的光纖放大器中，這種光纖是用作前置放大器的理想選擇。

這種光纖的遠(yuǎn)程通信幾何形狀使之兼容低成本泵浦二極管、標(biāo)準(zhǔn)單模無源光纖、以及標(biāo)準(zhǔn)遠(yuǎn)程通信接頭和拼接技術(shù)。

Item #

Cladding
Geometry

Absorption
@ 920 nm

Mode Field
Diameter

Cladding
Diameter

Coating
Diameter

Core NA

Cut-Off
Wavelength

Core Index

Cladding Index

YB1200-4/125

Round

280 dB/m

4.4 µm @ 1060 nm

125 ± 2 µm

245 ± 15 µm

0.2

1010 ± 70 nm

Proprietarya

Proprietarya

a.     由于保密協(xié)議，很遺憾我們無法提供更多信息。

產(chǎn)品型號

公英制通用

YB1200-4/125

摻鐿單模光纖，模場直徑4.4 µm


包層泵浦SM和LMA摻鐿光纖，雙包層

包層泵浦設(shè)計

單?；虼竽雒娣e工作

高泵浦吸收、光暗化效應(yīng)低

斜率效率高（75-84%）

應(yīng)用

高平均功率的脈沖放大器

中等和高功率脈沖和連續(xù)波激光器

材料處理

激光雷達(dá)

距離測量

這些摻鐿雙包層光纖是高達(dá)20瓦的中等和高功率應(yīng)用的理想選擇，包括光纖功率放大器。高效工作的典型斜率效率為75%到84%。用于LMA版本的匹配被動光纖在下面有售。

每種光纖的斜率效率曲線請見下表

主要特性

YB1200-6/125DC

遠(yuǎn)程通信幾何形兼容光柵和組合器等標(biāo)準(zhǔn)組件

YB1200-10/125DC

包層高吸收率和單模纖芯是基于光纖的功率放大器的理想選擇

YB1200-20/400DC

?400微米包層兼容工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的高功率泵浦激光器和傳輸光纖

YB1200-25/250DC

高包層吸收率和高效率用于高平均功率脈沖光纖放大器

YB2000-10/125DC

高摻雜濃度耐光暗化效應(yīng)


Item #

Cladding
Geometry

Absorption
@ 920 nm

Core
Diameter

Cladding
Diametera

Coating (Second
Cladding) Diameter

Core NA

Cladding NA

Slope
Efficiency
Plot

Core
Index

Cladding
Index

YB1200-6/125DC

Octagonal

0.55 ± 0.1 dB/m

7.0 ± 0.5 µm MFD

125 ± 2 µm

245 ± 15 µm

0.12b

≥0.48

Thorlabs摻鐿光纖

Proprietaryc

Proprietaryc

YB1200-10/125DC

1.7 ± 0.3 dB/m

10.0 ± 1.0 µm

125 ± 2 µm

245 ± 15 µm

0.080 ± 0.005

Thorlabs摻鐿光纖

YB1200-20/400DC

0.6 ± 0.1 dB/m

20.0 ± 1.5 µm

400 ± 10 µm

520 ± 15 µm

0.070 ± 0.005

≥0.48

Thorlabs摻鐿光纖

YB1200-25/250DC

2.3 ± 0.3 dB/m

25.0 ± 1.5 µm

250 ± 5 µm

350 ± 15 µm

0.070 ± 0.005

≥0.48

Thorlabs摻鐿光纖

YB2000-10/125DC

2.0 ± 0.4 dB/m

10 ± 1.0 µm

125 ± 2 µm

245 ± 15 µm

0.12 ± 0.02

>0.46


a.     八邊形包層相對平面的測量值。

b.     標(biāo)稱值

c.     由于保密協(xié)議，很遺憾我們無法提供更多信息。

產(chǎn)品型號

公英制通用

YB1200-6/125DC

大模場面積雙包層摻鐿光纖，模場直徑6微米

YB1200-10/125DC

大模場面積雙包層摻鐿光纖，芯徑10微米

YB1200-20/400DC

大模場面積雙包層摻鐿光纖，芯徑20微米

YB1200-25/250DC

大模場面積雙包層摻鐿光纖，芯徑25微米

YB2000-10/125DC

大模場面積雙包層高摻鐿光纖，芯徑10微米


匹配的雙包層無源光纖


經(jīng)過優(yōu)化以耦合有源摻雜光纖

提供單模和大模場(LMA)選項

符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的幾何形狀，便于處理

這些無源光纖非常適合與上面出售的有源光纖拼接。選擇合適的纖芯直徑和數(shù)值孔徑匹配有源光纖，以維持通過光纖激光器或放大器的光束質(zhì)量。外包層直徑設(shè)計環(huán)繞有源光纖，以使從無源到有源光纖的泵浦耦合損耗低。

這些無源光纖鍍有低折射率的丙烯酸，用于泵浦有源光纖。如有特殊要求，也可提供高折射率丙烯酸酯鍍膜；具體請聯(lián)系技術(shù)支持。

Item #

Compatible
Active Fiber

Cladding
Geometry

Core
Diameter

Cladding
Diameter

Coating (Second
Cladding) Diameter

Core NA

Cladding NA

Proof Test

Core Index

Cladding Index

P-6/125DC

YB1200-6/125DC

Round

7 ± 0.5 µma

125 ± 2 µm

245 ± 15 µm

0.12

(Nominal)

≥0.48

≥100 kpsi

Proprietaryb

Proprietaryb

P-10/125DC

YB1200-10/125DC
YB2000-10/125DC

10 ± 1 µm

0.08 ± 0.005

P-20/400DC

YB1200-20/400DC

20 ± 1.5 µm

400 ± 5 µm

520 ± 15 µm

0.07 ± 0.005

P-25/250DC

YB1200-25/250DC

25 ± 1.5 µm

250 ± 5 µm

350 ± 15 µm

a.     纖芯直徑規(guī)格是指在1060 nm處的遠(yuǎn)場模場直徑。

b.     很抱歉我們無法提供更多信息。

產(chǎn)品型號

公英制通用

P-6/125DC

NEW!無源單模雙包層光纖，纖芯6 µm，匹配YB1200-6/125DC

P-10/125DC

無源LMA雙包層光纖，纖芯10  µm，匹配YB1200-10/125DC(-PM)

P-20/400DC

NEW!無源LMA雙包層光纖，纖芯20 µm，匹配YB1200-20/400DC

P-25/250DC

NEW!無源LMA雙包層光纖，纖芯20 µm，匹配YB1200-25/250DC


Thorlabs摻鐿光纖

Thorlabs摻鐿光纖

纖芯泵浦光纖橫截面

Thorlabs摻鐿光纖

包層泵浦光纖橫截面

Thorlabs摻鐿光纖


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